Q/BQB 480－2021

3

示例 1：

B35A210 表示公稱厚度為 0.35mm 的普通型無取向電工鋼，比總損耗名義值 P1.5/50為 2.10W/kg；

示例 2：

B35AR300 表示公稱厚度為 0.35mm 的消除應力退火型無取向電工鋼，比總損耗名義值 P1.5/50為

3.00W/kg；

示例 3：

B35AH230 表示公稱厚度為 0.35mm 的型無取向電工鋼，比損耗名義值 P1.5/50為 2.30W/kg。

示例 4：

35WW210 表示公稱厚度為 0.35mm 的普通型 WW 無取向電工鋼，比損耗名義值 P1.5/50為 2.10W/kg。

示例 5：

35WH230 表示公稱厚度為 0.35mm 的型 WH 無取向電工鋼，比損耗名義值 P1.5/50為 2.30W/kg。

5.3 絕緣涂層的分類和代號

絕緣涂層的分類和代號應符合表2的規定。

表 2 絕緣涂層的分類和代號

絕緣涂層種類

代號

特征

半有機薄涂層

A

改善沖片性，并有良好的焊接性

半有機厚涂層

H

沖片性好，層間電阻高

半有機無鉻薄涂層

K

涂層中不含鉻，具有良好的焊接性

半有機無鉻厚涂層

M

涂層中不含鉻，具有良好的絕緣性能

半有機無鉻極厚涂層

J

涂層中不含鉻，具有極好的絕緣性能

半有機無鉻超厚涂層

L

涂層中不含鉻，具有極高的絕緣性能

自粘接涂層

Z

涂層中不含鉻，固化后具有良好的粘接性能，鐵心固定強度大

6

低硅冶煉是一項綜合技術。由于日鋼的原、燃料條件逐步轉差，低硅冶煉不能依靠改善焦炭質量，提高入爐品位等精料手段來實現。對于面臨的困難，煉鐵技術人員，進行了充分的分析研究，并由鐵前部牽頭組織，針對燒結、球團、煉鐵三個系統每旬定期召開攻關會議，強調低硅冶煉對煉鐵、煉鋼的重要意義，同時強調降硅要從系統內部著手，要完全通過提高操作水平來保障低硅冶煉的實現。燒結廠主要工作是：穩定成分、提高強度、改善粒級、降低亞鐵等。一般要求

6.1 生產工藝

產品的生產工藝和化學成分由制造方決定。

6.2 供貨形式

6.2.1 產品以卷供貨，簡稱鋼卷。鋼卷的重量應符合訂貨要求，卷重一般 3～10 噸，特殊卷重應在訂

貨時協商并在合同中注明。

6.2.2 鋼卷通常以切邊狀態交貨。用戶有特殊要求時，應在訂貨時協商并在合同中注明。

6.2.3 鋼卷內徑應在 500mm～520mm 范圍內，推薦鋼卷內徑為 508mm。

6.2.4

鋼卷應由同一寬度的鋼帶連續、緊密卷繞，卷的側面應盡量平直，自重下不塌卷。

6.3因而，認真總結鐵礦建造經歷經歷，加速礦山建造速度，使之提前達產達效，是鋼鐵工業開展的一個重要問題。礦山建造周期長及未達產原因近二十年我國新建的大中型地下鐵礦山，建造時刻少則七八年，多則十七八年，并且建成的礦山的實踐產值均勻只能占到規劃產值的52%。鐵礦山建造周期長及未達產的主要原因有以下幾點：地質資源牢靠程度差，尤其是首采地段更顯重要；規劃或規劃有失誤；施工技能配備落后；礦山技能難題未及時處理；有些目標選取過于抱負；體系及辦理問題；發掘延深跟不上；礦山設備質量及技能水平問題；礦山建造經歷缺少；其他不行預見要素。

交貨狀態

鋼帶以Zui終退火并兩面涂敷絕緣涂層的狀態交貨。

6.4

表面質量

6.4.1 鋼帶表面應光滑清潔，無油脂，無銹漬，無影響使用的缺陷。

6.4.2 鋼帶表面允許存在不影響材料正常使用的在厚度偏差允許范圍內的基板缺欠、絕緣涂層缺欠，

如輕微劃傷、色差、輥印、斑紋等缺欠。Q/BQB 480－2021

4

6.5q345b鋼管化學成分及力學性能和工藝性能Q345B鋼管是無縫鋼管的其中一種材質。Q代表的是這種材質的屈服，后面的345就是指這種材質的屈服值，在345左右，并會隨著材質的厚度的增加而使其屈服值減小。Q345B級，是2度常溫沖擊,這是等級的區分，所代表的，主要是沖擊的溫度有所不同。鋼管市場上競爭力，擴大企業產品范圍，工藝技術室就公司煉鋼、軋鋼生產工藝及裝備的現狀，并結合煉鋼、軋鋼生產實際和低合金鋼HRB335的化學成份、力學性能的數據統計及外廠生產q345b化學成分的經驗，對開發新品種—低合金高強度結構鋼（q345b化學成分）進行充分研究，目前現有裝備及生產操作水平條件下，開發新產品低合金高強度結構鋼（q345b化學成分）是可行的。

剪切適應性

鋼帶應便于進行剪切或沖壓 ,以保證在任何位置將鋼帶剪切成通常的形狀。

7 技術要求

7.1 磁性能

在 6.3 條件下提供的產品的磁性能應符合表 3 和表 4 的規定。時效后的磁性能要求，由供需雙方在

訂貨時協商，并在合同中注明。

表 3 普通型 A、消除應力退火型 AR、型 AH 產品磁性能和技術特性

7.2

絕緣涂層特性

7.2.1 絕緣涂層狀態

產品通常以兩面涂敷絕緣涂層狀態交貨，涂層種類見表 2。絕緣涂層應可耐受絕緣漆、變壓器油、

機械油等介質的侵蝕。本文件規定的絕緣涂層與相關技術規范規定絕緣涂層的近似對照可參見附

錄 A(資料性附錄)，無取向電工鋼絕緣涂層的特性見附錄 B(資料性附錄)。

絕緣涂層的厚度、自粘接涂層的剝離強度等技術要求如有特殊要求應在訂貨時協商，并在合同中注

明。

7.2.2 絕緣涂層附著性在此根底上，23年5月開端籌建司家營一期工程，其間氧化礦規劃為6萬t/a，原生礦規劃為1萬t/a，27年9月建成投產，規劃年產鐵精礦254萬t，鐵精礦檔次66%。司家營鐵礦一期選用階段磨礦、粗細分級、重選－高梯度強磁選－陰離子反浮選的選礦工藝流程，雖然許多研討標明這程根本上能很好地習慣司家營礦石的選別，但自投產以來，實踐出產與規劃有較大距離，精礦檔次一直在63%左右，收回率也僅能到達45%，一同一些規劃上存在的問題也逐步露出出來，嚴峻限制了礦山的出產及經濟效益。

根據附錄 C（無取向電工鋼絕緣涂層附著性檢測和評級方法），產品的絕緣涂層的附著性級別按照

附著性由高至低分為 A、B、C、D 四個級別。供貨時，產品涂層的附著性級別應達到 C 級。

在剪切過程和供方規定的熱處理條件下進行熱處理時，涂層不得有大面積脫落，但是在剪切邊緣位

置，涂層的輕微碎裂則允許存在。

7.2.3 涂層絕緣電阻

涂層絕緣電阻分為表面絕緣電阻和層間電阻，表面絕緣電阻單位為Ω·cm 2/面，層間電阻單位為

Ω·cm 2/片，理論上，層間電阻是表面絕緣電阻的 2 倍。根據需方要求，經供需雙方協商，可進行涂層

絕緣電阻的檢測，并在合同中注明涂層表面絕緣電阻或層間電阻的值。

7.3 幾何特性和公差

7.3.1 厚度

7.3.1.1 公稱厚度

產品的公稱厚度為 0.35mm、0.50mm、0.65mm 三種厚度規格。

7.3.1.2 厚度允許偏差

厚度允許偏差包括以下三類，其中包括：

—

同一個驗收批內公稱厚度的允許偏差，簡稱公稱厚度允許偏差；

—

平行于軋制方向（即鋼帶長度方向）的一定長度（

2000mm±200mm）范圍內，鋼帶縱向上各點的Q/BQB 480－2021

7

實際厚度之間的偏差，以下稱縱向厚度差；與單純靜壓型密封不同的是，上游式泵送密封既有動壓又有靜壓，因此與轉速和壓力都有關。而靜壓型密封是通過壓力形成密封間隙，因而與轉速無關。磁性流體密封“磁性流體密封”是一個來自美國航天局空間項目的典型派生技術，至今已有三十多年的歷史。Zui初的開發用于在外層空間失重的條件下推動火箭燃料，這種利用磁力來控制流體的技術已經被有關工程技術人員推廣應用到地面上。磁性流體主要由三個部分構成：載流體（通常為低蒸汽壓的碳氫化合物或者碳氟化合物）、表面活化劑（一種化學粘結劑）和磁性顆粒（極小的磁鐵礦球）。2存儲空間分配Neuron315芯片片內存儲器的地址范圍為E8H～FFFFH，包含2KB的RAM（E8～EFFF）、.5KB的EEPROM（F～F1FF）、2.5KB的保留空間（F2～FBFF）和1KB的用于存儲器映像I/O的空間（FC～FFFF）。外部擴展存儲器的地址由Neuron315的地址引腳和控制引腳來確定：給FLASHROM分配的地址空間為～7FFF，其中，～3FFF的16KB空間用于系統固件（Firmwar，系統固件實現了LonTalk協議，4～7FFF的16KB空間用于用戶程序代碼；給RAM分配的地址空間為8～E7FF的24KB地址空間；將E～E7FF的2KB地址空間分配為外部設備的內存映像I/O的空間。3A/D轉換接口方案本文在設計時曾考慮過使用Neuron芯片為A/D轉換電路提供串行I/O及并行I/O接口方式。然而串行I/O方式速度太慢；并行I/O方式實現起來需要占用Neuron芯片全部11個I/O接口，同時還要編程實現Neuron芯片的握手/令牌傳遞算法，開發費用和難度比較高。因此本文將節點保留的E～E7FF的2KB地址空間分配給A/D轉換芯片，作為AD1674的端口地址，采用內存映像的方法直接讀取AD1674的數據。

—

垂直于軋制方向（即沿著鋼帶寬度方向），鋼帶距離邊部不小于 15mm 及橫向寬度中間位置，各

點的實際厚度之間的偏差，以下稱橫向厚度差。

產品的厚度允許偏差應符合表 5 的規定，帶鋼允許厚度負偏差交貨。